Статья рассматривает характеристики излучателей на основе полупроводников GaAs, GaSb, InSb, PbS, PbTe, PbSe, GaAs: Zn, GaAs:Fe, GaP:N, GaAs:Te, InAs, ZnS и получение фоточувствительных АФН-пленок на основе CdSe, CdTe, CdTe:Ag, Sb2Se3. Исследование данных материалов представляет интерес с научной и практической точек зрения, особенно в связи с физико-технологическими аспектами АФН-пленок.