Статья посвящена изучению технологических особенностей изготовления АФН-пленок и разработке оптико-управляемых микросхем на основе использования ПОИ генераторного типа с тонкослойной АФН-пленкой при создании оптико-управляемых микросхем, а также показаны их преимущества и применение в оптоэлектронике. Для получения АФН-пленок из соединений CdSe, СdTe, CdTe:Cd необходимо использовать метод термического испарения в вакууме, используя вакуумную установку с механическим форвакуумным насосом и паромасленным диффузионным насосом. Температуру испарения полупроводника можно регулировать, нагревая подложки до 600°С. Контроль температуры осуществляется хромель-алюмелевыми термопарами.